недоступно на русском языке

Текущий статус : Опубликовано

Формат Язык
PDF + ePub
Бумажный
  • CHF129
Пересчитать швейцарские франки (CHF) в ваша валюта

Тезис

This document describes a method for determining the etch pit density, which is used to detect dislocations and processing-introduced defects that occur on single-crystal GaN substrates or single-crystal GaN films.

It is applicable to the defects specified in ISO 5618-1 from among the defects exposed on the surface of the following types of GaN substrates or films: single-crystal GaN substrate; single-crystal GaN film formed by homoepitaxial growth on a single-crystal GaN substrate; or single-crystal GaN film formed by heteroepitaxial growth on a single-crystal Al2O3, SiC, or Si substrate.

It is applicable to defects with an etch pit density of ≤ 7 × 107 cm-2.

Standard first page

Preview 

Вы можете ознакомиться с данным стандартом в нашей онлайн-библиотеке (OBP)

Общая информация

  • Текущий статус
     : Опубликовано
    Дата публикации
     : 2024-04
    Этап
    : Опубликование международного стандарта [60.60]
  • Версия
     : 1
  • Технический комитет :
    ISO/TC 206
    ICS :
    81.060.30 
  • RSS обновления

Жизненный цикл

Цели в области устойчивого развития

Данный стандарт разработан для достижения следующих Цели в области устойчивого развития

7
Недорогостоящая и чистая энергия
9
Индустриализация, инновации и инфраструктура
11
Устойчивые города и населенные пункты
13
Борьба с изменением климата

Появились вопросы?

Ознакомьтесь с FAQ

Работа с клиентами
+41 22 749 08 88

Часы работы:
Понедельник – пятница: 09:00-12:00, 14:00-17:00 (UTC+1)

  2. Интернет-магазин
  3. Каталог стандартов
  4. ТК
  5. ISO/TC 206
  6. ISO 5618-2:2024